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ABB 5SHY3545L0014 可控硅 IGCT模塊

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    質(zhì)保:1年
    售賣地區(qū):全國(guó)
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  • 產(chǎn)品詳情

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模塊

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模塊

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模塊

5SHY3545L0014   3BHB013085R0001.袁翠竹.2023.5.12 (8).jpg

品牌

IGCT模塊

輸出頻率

標(biāo)準(zhǔn)kHzHz

物料編碼

5SHY3545L0014

用途范圍

IGCT模塊

I/O點(diǎn)數(shù)

24輸入/16輸出

安裝方式

模塊式

品類

PLC可編程控制器

結(jié)構(gòu)形式

模塊結(jié)構(gòu)

產(chǎn)品特性

原裝保障

是否進(jìn)口

產(chǎn)地

歐美

加工定制

工作電壓

標(biāo)準(zhǔn)VV

產(chǎn)品認(rèn)證

原廠

系列

IGCT模塊

可售賣地

全國(guó)

型號(hào)

5SHY3545L0014

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5SHY系列5SHY3545L0014可控硅IGCT半導(dǎo)體應(yīng)用高功率領(lǐng)域模塊


5SHY系列5SHY3545L0014可控硅IGCT半導(dǎo)體應(yīng)用高功率領(lǐng)域模塊在高功率半導(dǎo)體及其應(yīng)用領(lǐng)域正在發(fā)生一場(chǎng)新的革命。新的高功率半導(dǎo)體,如HVIGBT(高壓絕緣柵雙極晶體管)和新興的IGCT(集成柵極整流晶閘管)正在為用戶提供(Linder等人[1])。特別是在高功率應(yīng)用領(lǐng)域(0.5 MVA至幾百M(fèi)VA),與當(dāng)今可用的關(guān)閉設(shè)備相比,IGCT的概念有可能提供以下:?每MVA低的?每MVA小的損耗?每MVA少的零件數(shù)和?每MVA高的可靠性。IGCT將繼續(xù)在所有高功率應(yīng)用中快速找到自己的位置。典型的應(yīng)用將是?中壓可調(diào)速驅(qū)動(dòng)器?高動(dòng)態(tài)軋機(jī)驅(qū)動(dòng)器?鐵路潮間帶?大功率牽引?變速發(fā)電?高壓直流輸電?自定義電源應(yīng)用,如?動(dòng)態(tài)電壓恢復(fù)器?有源濾波器?儲(chǔ)能系統(tǒng)?FACTS應(yīng)用,如–統(tǒng)一潮流控制器?靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器在大功率電子領(lǐng)域,IGCT固有的一項(xiàng)重要關(guān)鍵技術(shù)是關(guān)斷半導(dǎo)體的效益高且魯棒的串聯(lián)連接(Steimer等人[2])。這種串聯(lián)連接要么需要達(dá)到目標(biāo)的中高壓水平,要么需要達(dá)到更高的功率水平。IGCT技術(shù)的突破發(fā)生在1996年年中,串聯(lián)IGCT設(shè)備成功調(diào)試了高功率應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹100MVA鐵路線路(Boeck等人[3])。將解釋自1996年年中以來(lái)的出色歌劇經(jīng)驗(yàn)。此外,還將討論利用目前可用的IGCT進(jìn)行的未來(lái)潛力。集成門換型晶體管IGCT(帶集成門驅(qū)動(dòng)器的壓裝式GCT器件)的效益實(shí)現(xiàn)如圖1所示。為了在柵極電流中獲得所需的1000A/us的高di/dt值,GCT的低電感外殼是關(guān)鍵(Grüning[4])。IGCT的關(guān)斷是一個(gè)非??焖俚乃矐B(tài)。在大約1μs內(nèi),柵極電流在大關(guān)斷電流Itgqm的水平上增加。在陽(yáng)極電壓升高之前,陰極電流被降至零。設(shè)備的關(guān)閉完全發(fā)生在瞬態(tài)模式下,這完全受控和均勻的關(guān)閉。IGCT技術(shù)目前不存在GTO技術(shù)中已知的絲狀現(xiàn)象。關(guān)斷發(fā)生得太快了,以至于設(shè)備意識(shí)到它實(shí)際上是一個(gè)四層的升壓設(shè)備,并在關(guān)斷期間保持晶體管模式。因此,所經(jīng)歷的局限性在于麻醉。該設(shè)備可以在該材料定義的物理極限下直接操作

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