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ABB DSDP170K01 電源模塊 卡件
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口控硅(Silicon Controed Rectifier)簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱品閘管。它具有體積小，效***、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在自動(dòng)控
制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的
應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC，雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向
連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的
優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。
大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:***層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)[圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，起始干1957年，因?yàn)樗奶丶愃聘烧婵臻l流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱
晶閘管T，又因?yàn)榫чl管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR.
在件能上，口控硅不僅具有單向?qū)щ娂窟€具有比硅整流元件(俗稱”外硅”)更為可貴的口控性。它具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電
流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如:以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花，無噪音;效***，成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜杰及動(dòng)態(tài)的過載能力較差:容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3)，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
貴州源妙自動(dòng)化設(shè)備有限公司是一家擁有DCS/PLC，機(jī)器人/伺服驅(qū)動(dòng)四大系統(tǒng)主營(yíng)各種模塊/卡件/控制器觸摸屏/驅(qū)動(dòng)器/交換機(jī)的公司。
